|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Е. Р. Закиров, В. Г. Кеслер, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Горшков, А. П. Ковчавцев, “Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 915–921   |
| 2. |
М. С. Аксенов, Е. Р. Закиров, А. П. Ковчавцев, A. Е. Настовьяк, Д. В. Дмитриев, “Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях $i$-InGaAs”, Письма в ЖТФ, 48:21 (2022), 40–42 |
|
2021 |
| 3. |
М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, А. П. Ковчавцев, “Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Письма в ЖТФ, 47:10 (2021), 11–14 ; M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, A. P. Kovchavtsev, “The effect of fluorine on the density of states at the anodic oxide layer/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As interface”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 478–481 |
|
2020 |
| 4. |
А. П. Ковчавцев, М. С. Аксенов, A. Е. Настовьяк, Н. А. Валишева, Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Дмитриев, “Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 10–13 ; A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, A. E. Nastovjak, N. A. Valisheva, D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, D. V. Dmitriev, “Study of the density of interface states at the insulator/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As interface”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 469–472 |
|
2017 |
| 5. |
А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904 ; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 |
11
|
|
2016 |
| 6. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
|
2009 |
| 7. |
В. М. Базовкин, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, А. А. Маслов, С. Г. Миронов, Д. В. Хотяновский, А. В. Царенко, И. С. Цырюльников, “Влияние продольных структур на теплопередачу при гиперзвуковом обтекании угла сжатия”, Прикл. мех. техн. физ., 50:4 (2009), 112–120 ; V. M. Bazovkin, A. P. Kovchavtsev, G. L. Kuryshev, A. A. Maslov, S. G. Mironov, D. V. Khotyanovsky, A. V. Tsarenko, I. S. Tsyryulnikov, “Effect of streamwise structures on heat transfer in a hypersonic flow in a compression corner”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 50:4 (2009), 638–645 |
2
|
|
