|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
И. Д. Юшков, А. А. Гисматулин, Г. Н. Камаев, M. Vergnat, В. А. Володин, “Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le1$)/$n^+$-Si”, Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 363–369  |
|
2023 |
| 2. |
В. А. Володин, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, С. Г. Черкова, И. П. Просвирин, “Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a-SiO$_x$N$_y$ : H”, ЖТФ, 93:4 (2023), 575–582  |
|
2021 |
| 3. |
Г. Н. Камаев, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, “Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 13–16 ; G. N. Kamaev, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, “Vertical ordering of amorphous Ge nanoclusters in multilayer $a$-Ge/$a$-Si:H heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 609–612 |
|
2020 |
| 4. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, Г. Н. Камаев, А. А. Попов, “О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 643–647 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, G. N. Kamaev, A. A. Popov, “Effect of interfaces and thickness on the crystallization kinetics of amorphous germanium films”, Semiconductors, 54:7 (2020), 754–758 |
4
|
|
2019 |
| 5. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535 ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
| 6. |
В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, Г. Н. Камаев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 769–773 ; V. N. Kruchinin, T. V. Perevalov, G. N. Kamaev, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric silicon oxide SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Optics and Spectroscopy, 127:5 (2019), 836–840 |
5
|
|
2016 |
| 7. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, С. А. Кочубей, Г. Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 952–957 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, S. A. Kochubei, G. N. Kamaev, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Optical properties of $p$–$i$–$n$ structures based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals formed via nanosecond laser annealing”, Semiconductors, 50:7 (2016), 935–940 |
11
|
| 8. |
А. А. Гисматулин, Г. Н. Камаев, “Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 73–81 ; A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, “Electrophysical properties of Si/SiO$_{2}$ nanostructures fabricated by direct bonding”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 590–593 |
3
|
|
2013 |
| 9. |
Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, В. А. Володин, А. Г. Черков, А. Х. Антоненко, Г. Н. Камаев, В. А. Скуратов, “Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 334–339 ; G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, D. V. Marin, V. A. Volodin, A. G. Cherkov, A. Kh. Antonenko, G. N. Kamaev, V. A. Skuratov, “Influence of irradiation with swift heavy ions on multilayer Si/SiO$_2$ heterostructures”, Semiconductors, 47:3 (2013), 358–364 |
3
|
|
2012 |
| 10. |
В. А. Стучинский, Г. Н. Камаев, М. Д. Ефремов, С. А. Аржанникова, “Модель для описания особенности на аккумуляционной ветви вольт-фарадных характеристик МОП-конденсаторов с наночастицами кремния в окисле”, Письма в ЖТФ, 38:18 (2012), 45–52 ; V. A. Stuchinskiy, G. N. Kamaev, M. D. Efremov, S. A. Arzhannikova, “A model to describe the humplike feature observed in the accumulation branch of capacitance-voltage characteristics of MOS capacitors with oxide-hosted silicon nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 845–848 |
|
