|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
А. В. Рожков, П. Б. Родин, “Прямая токовая модуляция мощных полупроводниковых лазеров с помощью высокочастотных автоколебаний в арсенид-галлиевых лавинных диодах”, Письма в ЖТФ, 52:1 (2026), 36–40  |
|
2024 |
| 2. |
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин, “Самовозбуждение высокочастотных автоколебаний в лавинных арсенид-галлиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 44–47  |
| 3. |
А. В. Рожков, В. Х. Кайбышев, А. А. Торопов, П. Б. Родин, “Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 11–14 |
|
2022 |
| 4. |
М. С. Иванов, А. В. Рожков, П. Б. Родин, “Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах”, Письма в ЖТФ, 48:20 (2022), 31–34 |
2
|
| 5. |
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин, “Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя”, Письма в ЖТФ, 48:16 (2022), 25–29 |
2
|
|
2021 |
| 6. |
М. С. Иванов, В. И. Брылевский, П. Б. Родин, “Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 32–35 ; M. S. Ivanov, V. I. Brylevsky, P. B. Rodin, “Wave effects in a coaxial transmission line under subnanosecond switching of a high-voltage diode in the delayed impact-ionization breakdown mode”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 661–664 |
4
|
|
2020 |
| 7. |
М. С. Иванов, Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 275–279 ; M. S. Ivanov, N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Double avalanche injection in diode avalanche sharpeners”, Semiconductors, 54:3 (2020), 345–349 |
2
|
|
2019 |
| 8. |
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 401–406 ; N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Subnanosecond avalanche switching simulations of $n^{+}$–$n$–$n^{+}$ silicon structures”, Semiconductors, 53:3 (2019), 379–384 |
|
2018 |
| 9. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, Н. И. Подольская, Ю. А. Жарова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 66–73 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, N. I. Podolska, Yu. A. Zharova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Experimental observation of delayed impact-ionization avalanche breakdown in semiconductor structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 160–163 |
4
|
|
2017 |
| 10. |
Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Субнаносекундноe ударно-ионизационное переключение кремниевых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 43:11 (2017), 55–62 ; N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Subnanosecond impact-ionization switching of silicon structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 527–530 |
5
|
|
2016 |
| 11. |
М. С. Иванов, П. Б. Родин, П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 87–94 ; M. S. Ivanov, P. B. Rodin, P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of silicon carbide diode avalanche shapers for the picosecond range”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 43–46 |
8
|
|
2015 |
| 12. |
В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015), 1–7 ; V. I. Brylevsky, A. V. Rozhkov, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Anomalous dynamics of the residual voltage across a gallium-arsenide diode upon subnanosecond avalanche switching”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 307–309 |
14
|
|
2014 |
| 13. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$–$n$-переходами”, Письма в ЖТФ, 40:8 (2014), 80–87 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Subnanosecond avalanche switching in high-voltage silicon diodes with abrupt and graded $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 356–360 |
13
|
|
2012 |
| 14. |
П. Б. Родин, А. М. Минарский, И. В. Грехов, “Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей”, Письма в ЖТФ, 38:11 (2012), 78–87 ; P. B. Rodin, A. N. Minarsky, I. V. Grekhov, “Numerical simulation of spatially nonuniform switching in silicon avalanche sharpening diodes”, Tech. Phys. Lett., 38:6 (2012), 535–539 |
18
|
|
