|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Э. Ю. Бучин, Ю. И. Денисенко, “Ионный синтез структур кремний на изоляторе" со свинцово-силикатным изолирующим слоем”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 47–50   ; È. Yu. Buchin, Yu. I. Denisenko, “Ion synthesis of silicon-on-insulator structures with a lead-silicate insulating layer”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 696–699 |
3
|
|
2014 |
| 2. |
Е. А. Богоявленская, В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, А. Е. Рогожин, “Формирование затворных структур типа W/HfO$_2$/Si магнетронным распылением in situ и быстрым термическим отжигом”, ЖТФ, 84:5 (2014), 82–87 ; E. A. Bogoyavlenskaya, V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, A. E. Rogozhin, “Formation of W/HfO$_2$/Si gate structures using in situ magnetron sputtering and rapid thermal annealing”, Tech. Phys., 59:5 (2014), 711–715 |
1
|
|
2012 |
| 3. |
В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, С. Г. Симакин, “Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии”, ЖТФ, 82:2 (2012), 122–128 ; V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, S. G. Simakin, “Formation and investigation of cobalt silicide ultrathin layers in Ti/Co/Ti-, TiN/Ti/Co-, and TiN/Co-on-silicon structures”, Tech. Phys., 57:2 (2012), 279–285 |
2
|
| 4. |
В. И. Рудаков, Е. А. Богоявленская, Ю. И. Денисенко, “Влияние отжига на формирование high-$k$ диэлектрика в системе W/ультратонкий HfO$_2$/Si-подложка”, Письма в ЖТФ, 38:21 (2012), 48–55 ; V. I. Rudakov, E. A. Bogoyavlenskaya, Yu. I. Denisenko, “Annealing effect on the formation of high-$k$ dielectric in the W/ultrathin HfO$_2$/Si-substrate system”, Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 982–984 |
3
|
|
2011 |
| 5. |
В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, С. Г. Симакин, “Особенности формирования CoSi$_2$ при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 37:3 (2011), 36–44 ; V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, S. G. Simakin, “Features of CoSi$_2$ phase formation by two-stage rapid thermal annealing of Ti/Co/Ti/Si(100) structures”, Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 112–115 |
|
