|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, С. С. Насриддинов, З. Э. Мухтаров, Р. М. Ёркулов, “Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 12–14   |
|
2015 |
| 2. |
З. Э. Мухтаров, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, Т. Кодиров, Е. С. Эргашев, “Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe”, ЖТФ, 85:12 (2015), 146–149 ; Z. È. Мuhtarov, Z. A. Isakhanov, B. E. Umirzakov, T. Kodirov, E. S. Ergashev, “Effect of implantation of active metal ions on the elemental and chemical compositions of the CdTe surface”, Tech. Phys., 60:12 (2015), 1880–1883 |
5
|
| 3. |
Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, М. К. Рузибаева, З. Э. Мухтаров, А. С. Халматов, “Изучение профилей распределения атомов по глубине свободных нанопленочных систем типа Si–Me”, ЖТФ, 85:4 (2015), 123–125 ; B. E. Umirzakov, Z. A. Isakhanov, M. K. Ruzibaeva, Z. È. Мuhtarov, A. S. Khalmatov, “Analysis of profiles of atomic distribution over the depth of Si–Me free nanofilm systems”, Tech. Phys., 60:4 (2015), 600–602 |
3
|
|
2011 |
| 4. |
З. А. Исаханов, З. Э. Мухтаров, Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, “Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии”, ЖТФ, 81:4 (2011), 117–120 ; Z. A. Isakhanov, Z. È. Мuhtarov, B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, “Optimum ion implantation and annealing conditions for stimulating secondary negative ion emission”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 546–549 |
17
|
|
