|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. С. Кривобок, А. Д. Кондорский, Д. А. Пашкеев, Е. А. Екимов, А. Д. Шабрин, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, М. А. Чернопицский, А. В. Клековкин, П. А. Форш, “Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 33–36   ; V. S. Krivobok, A. D. Kondorskiy, D. A. Pashkeev, E. A. Ekimov, A. D. Shabrin, D. A. Litvinov, L. N. Grigor'eva, S. A. Kolosov, M. A. Chernopitskii, A. V. Klekovkin, P. A. Forsh, “A hybrid mid-IR photodetector based on semiconductor quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 388–391 |
1
|
|
2020 |
| 2. |
В. С. Кривобок, Д. А. Пашкеев, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, “Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 3–6 ; V. S. Krivobok, D. A. Pashkeev, D. A. Litvinov, L. N. Grigor'eva, S. A. Kolosov, “The influence of interfacial effects on the electron spectrum of GaAs/AlGaAs structures used for the creation of MID-IR photodetectors”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 256–259 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
В. С. Кривобок, Д. А. Литвинов, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, Д. А. Пашкеев, М. А. Чернопицский, Л. Н. Григорьева, “Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1632–1640 ; V. S. Krivobok, D. A. Litvinov, S. N. Nikolaev, E. E. Onishchenko, D. A. Pashkeev, M. A. Chernopitskii, L. N. Grigor'eva, “Excitonic effects and impurity–defect emission in GaAs/AlGaAs structures used for the production of mid-IR photodetectors”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1608–1616 |
3
|
|
