|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
С. Т. Абраева, Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Б. Е. Умирзаков, “Особенности фотоэлектронных спектров Ge, имплантированного ионами Na$^+$”, Письма в ЖТФ, 49:1 (2023), 27–30   |
|
2022 |
| 2. |
Д. А. Ташмухаммедова, Б. Е. Умирзаков, Ё. С. Эргашов, М. Б. Юсупжанова, Р. М. Ёркулов, “Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba$^+$ на электронную структуру монокристаллического Ge”, ЖТФ, 92:4 (2022), 638–642 |
|
2020 |
| 3. |
Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 32–34 ; D. A. Tashmukhamedova, M. B. Yusupjanova, G. Kh. Allayarova, B. E. Umirzakov, “Crystal structure and band gap of nanoscale phases of Si formed at various depths of the near-surface region of SiO$_{2}$”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 972–975 |
5
|
|
2016 |
| 4. |
М. Б. Юсупжанова, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков, “Состав морфология и электронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO$_{2}$ бомбардировкой ионами Ar$^{+}$”, ЖТФ, 86:4 (2016), 148–150 ; M. B. Yusupjanova, D. A. Tashmukhamedova, B. E. Umirzakov, “Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO$_{2}$ Surface by Ar$^{+}$ ion bombardment”, Tech. Phys., 61:4 (2016), 628–630 |
8
|
|
