|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова, “Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 23–26   ; A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova, “Peculiarities of the current–voltage characteristic of $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1124–1127 |
4
|
|
2012 |
| 2. |
А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова, “Выращивание пленок твердого раствора Ge$_{1-x}$Sn$_x$ и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1111–1119 ; A. S. Saidov, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova, “Growth of Ge$_{1-x}$Sn$_x$ solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1088–1095 |
|
