|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. Е. Черняков, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, Л. А. Алексанян, А. Я. Поляков, “Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 397–401  |
|
2023 |
| 2. |
Н. А. Тальнишних, А. Е. Иванов, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1499–1501  |
|
2022 |
| 3. |
А. Л. Закгейм, А. В. Аладов, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, “Предельные энергетические возможности мощных AlInGaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 48:13 (2022), 33–36 |
|
2020 |
| 4. |
Н. М. Шмидт, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, “Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 45–48 ; N. M. Shmidt, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. E. Ivanov, N. А. Talnishnikh, A. L. Zakhgeim, “Temperature-dependent decrease in efficiency in power blue InGaN/GaN LEDs”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1253–1256 |
4
|
|
2018 |
| 5. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201 ; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 |
8
|
|
