|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, В. А. Беляков, А. П. Горшков, И. В. Макарцев, А. В. Нежданов, М. В. Ревин, А. Д. Филатов, П. А. Юнин, “Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 92:10 (2022), 1582–1587   |
|
2020 |
| 2. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, А. Д. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, П. А. Юнин, “Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 90:5 (2020), 826–830 ; P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, А. D. Filatov, I. A. Kazantseva, M. V. Revin, P. A. Yunin, “Atomic force microscopy examination of elementary processes in metalorganic compound hydride epitaxy of GaAs-based nanoheterostructures”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 791–794 |
|
2018 |
| 3. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, Д. С. Смотрин, П. А. Юнин, “Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 88:2 (2018), 219–223 ; P. B. Boldyrevskii, D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, M. V. Revin, D. S. Smotrin, P. A. Yunin, “Influence of the rotation frequency of a disk substrate holder on the crystal structure characteristics of MOCVD-grown GaAs layers”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 211–215 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
Е. Л. Панкратов, П. Б. Болдыревский, “Модели процессов тепломассопереноса при эпитаксии полупроводниковых слоев из газовой фазы”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2017, № 2, 91–107 |
|
2016 |
| 5. |
Е. Л. Панкратов, П. Б. Болдыревский, “Задача конвективной диффузии из газовой фазы к вращающемуся диску”, Прикл. мех. техн. физ., 57:4 (2016), 74–83 ; E. L. Pankratov, P. B. Boldyrevskii, “Convective diffusion from gas to a rotating disk”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 57:4 (2016), 637–645 |
2
|
|
2015 |
| 6. |
П. Б. Болдыревский, А. Г. Коровин, С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, “Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4, 93–100 |
|
2014 |
| 7. |
П. Б. Болдыревский, А. Г. Коровин, С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, “Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника”, ЖТФ, 84:11 (2014), 155–158 ; P. B. Boldyrevskii, A. G. Korovin, S. A. Denisov, S. P. Svetlov, V. G. Shengurov, “Thickness uniformity of silicon layers grown from a sublimation source by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 59:11 (2014), 1732–1735 |
3
|
|
