|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Г. М. Гаджиев, Ш. М. Рамазанов, Н. С. Абакарова, Т. Н. Эфендиева, “Влияние внешнего поля и температуры на временную эволюцию тока утечки в пленочной структуре BiFeO$_3$/TiO$_2$(Nt)Ti”, Физика твердого тела, 66:2 (2024), 259–265   |
|
2020 |
| 2. |
Л. А. Сайпулаева, М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, А. Г. Алибеков, Ш. Б. Абдулвагидов, Н. В. Мельникова, В. С. Захвалинский, С. Ф. Маренкин, “Синтез и исследование электрических свойств диарсенида трикадмия с наногранулами MnAs”, ЖТФ, 90:7 (2020), 1128–1131 ; L. A. Saypulaeva, M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, A. G. Alibekov, Sh. B. Abdulvagidov, N. V. Melnikova, V. S. Zakhvalinskii, S. F. Marenkin, “The synthesis and investigation of the electrical properties of tricadmium diarsenide with MnAs nanogranules”, Tech. Phys., 65:7 (2020), 1083–1086 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, “Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1075–1076 ; M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, “Effect of uniaxial deformation on the current–voltage characteristic of a $p$-Ge/$n$-GaAs heterostructure”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1054–1055 |
|
2015 |
| 4. |
М. М. Гаджиалиев, Р. Р. Баширов, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, Х. Медге, К. Филар, “Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 904–905 ; M. M. Gadzhialiev, R. R. Bashirov, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, H. Mödge, K. Filar, “Thermoelectric power of $n$-InSb in a transverse quantizing magnetic field”, Semiconductors, 49:7 (2015), 883–884 |
|
2014 |
| 5. |
М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, “Температурная и магнетополевая зависимости термоэдс электронного антимонида индия”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1169–1170 ; M. M. Gadzhialiev, Z. Sh. Pirmagomedov, T. N. Efendieva, “Temperature and magnetic-field dependences of the thermoelectric power of electronic indium antimonide”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1139–1140 |
1
|
|
