|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 79–84   ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, A. Schöner, “High-power 4$H$-SiC mosfet with an epitaxial buried channel”, Semiconductors, 54:1 (2020), 122–126 |
5
|
|
2016 |
| 2. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 839–842 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, A. Schöner, “Method for increasing the carrier mobility in the channel of the 4$H$-SiC MOSFET”, Semiconductors, 50:6 (2016), 824–827 |
| 3. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, T. Sledziewski, С. А. Решанов, A. Schöner, M. Krieger, “Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 103–105 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger, “Specific features of the current–voltage characteristics of SiO$_{2}$/4$H$-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 103–105 |
4
|
|
2014 |
| 4. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, M. Krieger, A. Schöner, T. Sledziewski, “Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1621–1625 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, M. Krieger, A. Schöner, T. Sledziewski, “On the ion implantation of phosphorus as a method for the passivation of states at the interface between 4H-SiC and SiO$_2$ produced by thermal oxidation in dry oxygen”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1581–1585 |
6
|
|
