|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. А. Кононов, Р. А. Кастро Арата, Д. Д. Главная, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, Ю. Сайто, П. Фонс, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 461–465   ; A. A. Kononov, R. A. Castro Arata, D. D. Glavnaya, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, Yu. Saito, P. Fons, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov, “Polarization processes in thin layers of amorphous MoS$_2$ obtained by RF magnetron sputtering”, Semiconductors, 54:5 (2020), 558–562 |
1
|
| 2. |
А. Р. Кастро Арата, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, А. А. Кононов, Ю. Сайто, П. Фонс, Д. Томинага, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 149–152 ; R. A. Castro-Arata, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, A. A. Kononov, Yu. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov, “Structural and dielectric study of thin amorphous layers of the Ge–Sb–Te system prepared by RF magnetron sputtering”, Semiconductors, 54:2 (2020), 201–204 |
|
