|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках”, ЖТФ, 94:11 (2024), 1843–1847   |
|
2022 |
| 2. |
О. В. Александров, Н. С. Тяпкин, С. А. Мокрушина, В. Н. Фомин, “Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 250–253 |
|
2020 |
| 3. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 189–194 ; O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina, “Model of the effect of the gate bias on MOS structures under ionizing radiation”, Semiconductors, 54:2 (2020), 240–245 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель накопления зарядов в $n$- и $p$-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 637–642 ; O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina, “Model for charge accumulation in $n$- and $p$-MOS transistors during tunneling electron injection from a gate”, Semiconductors, 52:6 (2018), 783–788 |
3
|
|
