|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Е. Ю. Зыкова, К. Е. Озерова, А. А. Татаринцев, А. Н. Туркин, “Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий”, Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022), 1372–1377   |
|
2020 |
| 2. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, С. С. Мирзаи, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 420–425 ; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, S. S. Mirzai, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantum wells by electrotransmission spectroscopy”, Semiconductors, 54:4 (2020), 495–500 |
3
|
| 3. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 292–295 ; A. E. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED heterostructures with different numbers of QWs”, Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
В. В. Волков, Л. М. Коган, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, “Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1172–1176 ; V. V. Volkov, L. M. Kogan, A. N. Turkin, A. I. Yunovich, “Luminescence spectra of high-power violet and ultraviolet gallium nitride-based LEDs”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1293–1297 |
4
|
|
