|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
С. В. Новиков, В. С. Кузнецова, А. Т. Бурков, И. Шуманн, “Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 355–357   ; S. V. Novikov, V. S. Kuznetsova, A. Burkov, I. Shumann, “Dependence of the crystallization kinetics of Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ thin films on their thickness”, Semiconductors, 54:4 (2020), 426–428 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
В. С. Кузнецова, С. В. Новиков, Ч. К. Ниченаметла, И. Кальво, М. Вагнер-Ритц, “Структура и термоэлектрические свойства пленочных композитов на основе CoSi”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 784–788 ; V. S. Kuznetsova, S. V. Novikov, C. K. Nichenametla, J. Calvo, M. Wagner-Reetz, “Structure and thermoelectric properties of CoSi-based film composites”, Semiconductors, 53:6 (2019), 775–779 |
6
|
|
2018 |
| 3. |
Н. С. Петрова, В. А. Данилов, Ю. А. Бойков, В. С. Кузнецова, С. В. Новиков, “Расслоение монокристаллов Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ и синтерование полученных микро- и наноразмерных пластин”, ЖТФ, 88:7 (2018), 1057–1059 ; N. S. Petrova, V. A. Danilov, Yu. A. Boikov, V. S. Kuznetsova, S. V. Novikov, “Stratification of Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ single crystals and sintering of the obtained micro- and nanoscale plates”, Tech. Phys., 63:7 (2018), 1026–1028 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
В. С. Кузнецова, В. К. Зайцев, Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, “Анизотропия термоэдс в высших силицидах переходных металлов”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1014–1017 ; V. S. Kuznetsova, V. K. Zaitsev, F. Yu. Solomkin, S. V. Novikov, “Anisotropy of the thermopower in higher silicide of transitions metals”, Semiconductors, 51:8 (2017), 972–975 |
1
|
|
