|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. Н. Ормонт, И. А. Курова, “Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 367–370   ; N. N. Ormont, I. A. Kurova, “Modification of the photoelectric properties of undoped hydrogenated amorphous silicon films under preliminary illumination at elevated temperatures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 437–440 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 440–442 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “Modification of the thermal relaxation kinetics of the photoinduced (at $T$ = 425 K) metastable dark conductivity of $a$-Si:H films by weak illumination during the initial stage of relaxation”, Semiconductors, 51:4 (2017), 417–419 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H, освещенных при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 603–605 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “Light-induced relaxation of the metastable conductivity of undoped $a$-Si:H films illuminated at elevated temperatures”, Semiconductors, 49:5 (2015), 590–592 |
2
|
|
2013 |
| 4. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 757–760 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “On the photoinduced effect in undoped $a$-Si:H films”, Semiconductors, 47:6 (2013), 767–770 |
3
|
|
2012 |
| 5. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 330–333 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “Specific features of recombination in layered $a$-Si:H films”, Semiconductors, 46:3 (2012), 315–318 |
|
