Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Пономарева Ирина Витальевна


https://www.mathnet.ru/rus/person186504
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. В. В. Болотов, Е. В. Князев, С. Н. Несов, К. Е. Ивлев, И. В. Пономарева, Ю. А. Стенькин, Е. А. Росликова, Д. В. Соколов, “Многослойные селективные сенсорные структуры на основе нестехиометрических оксидов марганца и олова”, Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1680–1685  mathnet  elib
2. В. В. Болотов, Е. В. Князев, К. Е. Ивлев, И. В. Пономарева, Ю. А. Стенькин, С. Н. Несов, Е. А. Росликова, “Применение оксида марганца для повышения селективности газочувствительных пленок SnO$_x$”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  478–481  mathnet  elib
2023
3. К. Е. Ивлев, В. В. Болотов, И. В. Пономарева, Е. В. Князев, “Формирование канального кремния для создания фильтрующих слоев”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  628–631  mathnet  elib
2022
4. В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, К. Е. Ивлев, “Многослойная сенсорная структура на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  576–579  mathnet  elib
2020
5. В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов, “Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  504–509  mathnet  elib; V. V. Bolotov, K. E. Ivlev, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Roslikov, “Formation of multilayer structures with integrated membranes based on porous silicon”, Semiconductors, 54:5 (2020), 609–613 5
2017
6. В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  51–55  mathnet  elib; V. V. Bolotov, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Kan, N. A. Davletkildeev, K. E. Ivlev, V. E. Roslikov, “Formation and properties of the buried isolating silicon-dioxide layer in double-layer “porous silicon-on-insulator” structures”, Semiconductors, 51:1 (2017), 49–53 2

Организации