|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. В. Болотов, Е. В. Князев, С. Н. Несов, К. Е. Ивлев, И. В. Пономарева, Ю. А. Стенькин, Е. А. Росликова, Д. В. Соколов, “Многослойные селективные сенсорные структуры на основе нестехиометрических оксидов марганца и олова”, Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1680–1685 |
| 2. |
В. В. Болотов, Е. В. Князев, К. Е. Ивлев, И. В. Пономарева, Ю. А. Стенькин, С. Н. Несов, Е. А. Росликова, “Применение оксида марганца для повышения селективности газочувствительных пленок SnO$_x$”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 478–481 |
|
2023 |
| 3. |
К. Е. Ивлев, В. В. Болотов, И. В. Пономарева, Е. В. Князев, “Формирование канального кремния для создания фильтрующих слоев”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 628–631 |
|
2022 |
| 4. |
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, К. Е. Ивлев, “Многослойная сенсорная структура на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 576–579 |
|
2020 |
| 5. |
В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов, “Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 504–509 ; V. V. Bolotov, K. E. Ivlev, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Roslikov, “Formation of multilayer structures with integrated membranes based on porous silicon”, Semiconductors, 54:5 (2020), 609–613 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 51–55 ; V. V. Bolotov, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Kan, N. A. Davletkildeev, K. E. Ivlev, V. E. Roslikov, “Formation and properties of the buried isolating silicon-dioxide layer in double-layer “porous silicon-on-insulator” structures”, Semiconductors, 51:1 (2017), 49–53 |
2
|
|