|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1106–1111   ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Combination of reactive-ion etching and chemical etching as a method for optimizing the surface relief on AlGaInN heterostructures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1310–1314 |
1
|
| 2. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 564–569 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Modification of the $n$-surface profile of AlGaInN LEDs by changing the gas-mixture composition during reactive ion etching”, Semiconductors, 54:6 (2020), 672–676 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
Л. К. Марков, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, Г. В. Иткинсон, О. В. Осипов, “Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1562–1567 ; L. K. Markov, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, G. V. Itkinson, O. V. Osipov, “High-voltage alingan LED chips”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1529–1534 |
|
2018 |
| 4. |
С. А. Гуревич, М. В. Горохов, В. М. Кожевин, М. В. Кукушкин, В. С. Левицкий, Л. К. Марков, Д. А. Явсин, “Формирование аморфных наночастиц углерода методом лазерного электродиспергирования”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 57–62 ; S. A. Gurevich, M. V. Gorokhov, V. M. Kozhevin, M. V. Kukushkin, V. S. Levitskii, L. K. Markov, D. A. Yavsin, “Formation of amorphous carbon nanoparticles by the laser electrodispersion method”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 207–209 |
1
|
|
2016 |
| 5. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, D. A. Zakgeim, S. I. Pavlov, “Technique for forming ITO films with a controlled refractive index”, Semiconductors, 50:7 (2016), 984–988 |
10
|
|
2014 |
| 6. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1713–1718 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, D. A. Zakgeim, S. I. Pavlov, “Use of double-layer ITO films in reflective contacts for blue and near-UV LEDs”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1674–1679 |
4
|
| 7. |
Д. А. Закгейм, Г. В. Иткинсон, М. В. Кукушкин, Л. К. Марков, О. В. Осипов, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, А. Е. Черняков, Д. А. Бауман, “Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1287–1293 ; D. A. Zakgeim, G. V. Itkinson, M. V. Kukushkin, L. K. Markov, O. V. Osipov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, A. E. Chernyakov, D. A. Bauman, “High-power AlGaInN LED chips with two-level metallization”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1254–1259 |
2
|
| 8. |
И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, С. И. Павлов, “Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 61–66 ; I. P. Smirnova, L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, S. I. Pavlov, “Optimization of the deposition technique of thin ITO films used as transparent conducting contacts for blue and near-UV LEDs”, Semiconductors, 48:1 (2014), 58–62 |
8
|
|
2013 |
| 9. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Е. Д. Васильева, А. Е. Черняков, А. С. Усиков, “Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 386–391 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, E. D. Vasil'eva, A. E. Chernyakov, A. S. Usikov, “Comparison of the properties of AlGaInN light-emitting diode chips of vertical and flip-chip design using silicon as the a submount”, Semiconductors, 47:3 (2013), 409–414 |
8
|
|
2012 |
| 10. |
И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, “AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 384–388 ; I. P. Smirnova, L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, “AlGaInN-based light emitting diodes with a transparent $p$-contact based on thin ITO films”, Semiconductors, 46:3 (2012), 369–373 |
6
|
|
