|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, П. А. Дементьев, И. В. Седова, А. В. Королева, Е. В. Жижин, С. В. Лебедев, “Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 636–643   |
| 2. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. В. Королева, Е. В. Жижин, С. В. Лебедев, “Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 302–312 |
|
2022 |
| 3. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. В. Королева, Е. В. Жижин, С. В. Лебедев, “Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 659–666 |
|
2020 |
| 4. |
М. В. Лебедев, “Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 587–630 ; M. V. Lebedev, “Modification of the atomic and electronic structure of III–V semiconductor surfaces at interfaces with electrolyte solutions (Review)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 699–741 |
17
|
|
2019 |
| 5. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Л. Шахмин, О. В. Рахимова, П. А. Дементьев, И. В. Седова, “Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 908–916 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. L. Shakhmin, O. V. Rakhimova, P. A. Dementev, I. V. Sedova, “Development of the physicochemical properties of the GaSb(100) surface in ammonium sulfide solutions”, Semiconductors, 53:7 (2019), 892–900 |
6
|
|
2017 |
| 6. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, С. И. Павлов, И. В. Седова, “Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1138–1145 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, S. I. Pavlov, I. V. Sedova, “Effect of ammonium-sulfide solvent on the surface passivation of GaSb (100)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1093–1100 |
5
|
|
2015 |
| 7. |
Н. В. Крыжановская, М. В. Лебедев, Т. В. Львова, Ю. В. Кудашова, И. И. Шостак, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, М. М. Кулагина, А. М. Надточий, С. И. Трошков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, “Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 86–94 ; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Lebedev, T. V. L'vova, Yu. V. Kudashova, I. I. Shostak, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, M. V. Maksimov, M. M. Kulagina, A. M. Nadtochiy, S. I. Troshkov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, “The effect of sulfide passivation on luminescence from microdisks with quantum wells and quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 654–657 |
4
|
|
2014 |
| 8. |
Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, В. В. Евстропов, М. В. Лебедев, В. П. Улин, В. М. Лантратов, В. М. Андреев, “Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок”, ЖТФ, 84:6 (2014), 92–97 ; N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, V. V. Evstropov, M. V. Lebedev, V. P. Ulin, V. M. Lantratov, V. M. Andreev, “Dark current-voltage characteristic of triple-junction solar cells: Their relation with the efficiency and the influence of passivating treatments”, Tech. Phys., 59:6 (2014), 879–883 |
1
|
|
2013 |
| 9. |
Т. В. Львова, М. С. Дунаевский, М. В. Лебедев, А. Л. Шахмин, И. В. Седова, С. В. Иванов, “Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 710–716 ; T. V. L'vova, M. S. Dunaevskii, M. V. Lebedev, A. L. Shakhmin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, “Chemical passivation of InSb (100) substrates in aqueous solutions of sodium sulfide”, Semiconductors, 47:5 (2013), 721–727 |
23
|
|
2012 |
| 10. |
М. В. Лебедев, T. Masuda, K. Uosaki, “Перенос заряда на границе $n$-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 487–493 ; M. V. Lebedev, T. Masuda, K. Uosaki, “Charge transport at the interface of $n$-GaAs (100) with an aqueous HCl solution: Electrochemical impedance spectroscopy study”, Semiconductors, 46:4 (2012), 471–477 |
12
|
|
