|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Е. А. Полушкин, С. В. Нефедьев, О. А. Солтанович, А. В. Ковальчук, С. Ю. Шаповал, “Повышение радиационной стойкости интегральных схем на основе биполярных транзисторов обработкой в водородной электронно циклотронно резонансной плазме и геттерированием Si-пластин”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023), 195–201   |
|
2020 |
| 2. |
В. И. Гармаш, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Ковальчук, С. Ю. Шаповал, “Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 748–752 ; V. I. Garmash, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Kovalchuk, S. Yu. Shapoval, “Investigation of the effect of atomic composition on the plasma-chemical etching rate of silicon nitride in high-power transistors based on an AlGaN/GaN heterojunction”, Semiconductors, 54:8 (2020), 895–899 |
1
|
|
