|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. А. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, “Быстродействующие детекторы УФ-излучения на основе пленок Ga$_2$O$_3$”, ЖТФ, 95:11 (2025), 2229–2234   |
| 2. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, М. С. Скакунов, А. С. Сотникова, С. М. Гущин, В. Е. Земляков, “Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 23–26 |
|
2024 |
| 3. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, В. Е. Земляков, “Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном $S$-диоде”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 393–399 |
|
2023 |
| 4. |
В. М. Калыгина, О. С. Киселева, В. В. Копьев, Б. О. Кушнарев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, “Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr”, ЖТФ, 93:11 (2023), 1631–1636 |
|
2022 |
| 5. |
Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. В. Копьев, В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, М. Е. Бойко, П. Н. Бутенко, М. П. Щеглов, “Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда”, Письма в ЖТФ, 48:22 (2022), 24–27 |
|
2020 |
| 6. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1035–1040 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, V. V. Kopyev, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Effect of ultraviolet radiation and electric field on the conductivity of structures based on $\alpha$- and $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1224–1229 |
2
|
|
2017 |
| 7. |
И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник, “Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 240–246 ; I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. L. Oleynik, “On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 232–238 |
3
|
|
