|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. В. Семченко, В. А. Пилипенко, “Высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур металл–Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$–термический окисел–кремний”, Физика твердого тела, 68:3 (2026), 429–433  |
|
2025 |
| 2. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния”, Физика твердого тела, 67:10 (2025), 1928–1931  |
|
2023 |
| 3. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, Г. В. Чучева, “Влияние материала верхнего электрода на электрофизические свойства МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 65:6 (2023), 1060–1064 |
| 4. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 572–576 |
|
2020 |
| 5. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Создание и исследования структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 422–426 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Creation and investigation of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 480–484 |
| 6. |
М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, Дж. И. Гусейнов, Н. Ш. Алиев, “Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 121–124 ; M. S. Afanasiev, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, A. E. Nabiyev, J. И. Huseynov, N. Sh. Aliev, “Conductivity of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 164–167 |
2
|
| 7. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1219–1223 ; M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Dependence of the electrophysical characteristics of metal–ferroelectric–semiconductor structures on the field-electrode material”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1445–1449 |
|
2019 |
| 8. |
В. К. Егоров, Е. В. Егоров, М. С. Афанасьев, “Ионно-пучковые и рентгеновские методы элементной диагностики тонкопленочных покрытий”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2454–2460 ; V. K. Egorov, E. V. Egorov, M. S. Afanasiev, “Ion-beam and X-ray methods of elemental diagnostics of thin film coatings”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2480–2486 |
| 9. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1948–1952 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The effect of synthesis temperature on the microstructure and electrophysical properties of BST 80/20 films”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1910–1914 |
4
|
|
2018 |
| 10. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, В. А. Лузанов, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 951–954 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, V. A. Luzanov, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The influence of the substrate material on the structure and electrophysical properties of Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ thin films”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 954–957 |
4
|
|
2015 |
| 11. |
М. С. Афанасьев, А. Э. Набиев, Г. В. Чучева, “Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 57:7 (2015), 1354–1357 ; M. S. Afanasiev, A. E. Nabiyev, G. V. Chucheva, “Optical monitoring of the deposition process of ferroelectric films”, Phys. Solid State, 57:7 (2015), 1377–1380 |
5
|
| 12. |
Д. А. Киселев, М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$”, Физика твердого тела, 57:6 (2015), 1134–1137 ; D. A. Kiselev, M. S. Afanasiev, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Growth kinetics of induced domains in Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ ferroelectric thin films”, Phys. Solid State, 57:6 (2015), 1151–1154 |
13
|
|
2013 |
| 13. |
М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, “Расчёт теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013), 9–12 |
| 14. |
М. С. Афанасьев, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, “Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013), 7–9 |
|
2012 |
| 15. |
Г. В. Чучева, М. С. Афанасьев, И. А. Анисимов, А. И. Георгиева, С. А. Левашов, А. Э. Набиев, “Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012), 8–11 |
|
2009 |
| 16. |
М. С. Иванов, М. С. Афанасьев, “Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок Ba$_x$Sr$_{1-x}$TiO$_3$ на различных подложках методом высокочастотного распыления”, Физика твердого тела, 51:7 (2009), 1259–1262 ; M. S. Ivanov, M. S. Afanasiev, “Specific features of the formation of Ba$_x$Sr$_{1-x}$TiO$_3$ ferroelectric thin films on different substrates by radio-frequency sputtering”, Phys. Solid State, 51:7 (2009), 1328–1331 |
16
|
|
Обратная связь: