|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
К. Н. Астанкова, Н. А. Кислухин, И. А. Азаров, И. П. Просвирин, В. А. Володин, “Структура и кинетика диспропорционирования тонких пленок GeO”, Физика твердого тела, 66:9 (2024), 1585–1590  |
| 2. |
В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А. Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, П. А. Кучинская, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М. С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков, “Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 238–241  |
|
2020 |
| 3. |
К. Н. Астанкова, В. А. Володин, И. А. Азаров, “О структуре тонких пленок монооксида германия”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1296–1301 ; K. N. Astankova, V. A. Volodin, I. A. Azarov, “Structure of germanium monoxide thin films”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1555–1560 |
17
|
|
2018 |
| 4. |
К. Н. Астанкова, А. С. Кожухов, И. А. Азаров, Е. Б. Горохов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 696–700 ; K. N. Astankova, A. S. Kozhukhov, I. A. Azarov, E. B. Gorokhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Local anodic oxidation of thin GeO films and formation of nanostructures based on them”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 700–704 |
2
|
| 5. |
E. B. Gorokhov, K. N. Astankova, I. A. Azarov, V. A. Volodin, A. V. Latyshev, “New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 517 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 628–631 |
2
|
|
