|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
О. Я. Белобровая, В. В. Галушка, В. С. Исмаилова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, Д. В. Терин, А. А. Машков, “Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства наноструктурированного кремния, полученного методом металл-стимулированного химического травления in situ”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 20:4 (2020), 288–298  |
|
2019 |
| 2. |
O. Ya. Belobrovaya, V. V. Galushka, A. L. Karagaychev, A. E. Zharkova, V. P. Polyanskaya, V. I. Sidorov, D. V. Terin, A. A. Mantsurov, “Nanostructured porous silicon layers formation at low doses of $\gamma$-radiation”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:4 (2019), 312–316 |
1
|
| 3. |
В. В. Галушка, Э. А. Жаркова, Д. В. Терин, В. И. Сидоров, Е. И. Хасина, “Механизмы частотно-зависимой проводимости мезопористого кремния при гамма-облучении малыми дозами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 6–8  ; V. V. Galushka, A. E. Zharkova, D. V. Terin, V. I. Sidorov, E. I. Khasina, “Mechanisms of frequency-dependent conductivity of mesoporous silicon at $\gamma$ irradiation with small doses”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 533–536 |
4
|
|
2018 |
| 4. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, Д. В. Терин, В. В. Галушка, И. В. Галушка, Э. А. Жаркова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, И. Т. Ягудин, “Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 349–352 ; D. I. Bilenko, O. Ya. Belobrovaya, D. V. Terin, V. V. Galushka, I. V. Galushka, A. E. Zharkova, V. P. Polyanskaya, V. I. Sidorov, I. T. Yagudin, “Effect of low $\gamma$-radiation doses on the optical properties of porous silicon”, Semiconductors, 52:3 (2018), 331–334 |
2
|
|
2017 |
| 5. |
В. В. Галушка, Э. А. Жаркова, Д. В. Терин, В. И. Сидоров, Е. И. Хасина, “Емкостные свойства структур на основе мезопористого кремния, облученного малыми дозами гамма-излучения”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 72–77 ; V. V. Galushka, A. E. Zharkova, D. V. Terin, V. I. Sidorov, E. I. Khasina, “The capacitive properties of structures based on mesoporous silicon irradiated by low-dose $\gamma$ rays”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 987–989 |
1
|
| 6. |
Д. И. Биленко, В. В. Галушка, Э. А. Жаркова, В. И. Сидоров, Д. В. Терин, Е. И. Хасина, “Влияние гамма-излучения малых доз на электрофизические свойства мезопористого кремния”, Письма в ЖТФ, 43:3 (2017), 57–63 ; D. I. Bilenko, V. V. Galushka, A. E. Zharkova, V. I. Sidorov, D. V. Terin, E. I. Khasina, “The effect of low doses of gamma radiation on the electrophysical properties of mesoporous silicon”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 166–168 |
6
|
|
2015 |
| 7. |
С. Н. Беляев, М. А. Клочков, А. А. Нечкин, В. И. Сидоров, “Энергетический спектр фотонейтронов из $^{209}$Bi при $\mathrm{E}_{\gamma\max} = 12$ МэВ”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 15:1 (2015), 47–50 |
|
