|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Н. В. Середова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 266–270   |
|
2019 |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
| 3. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30 ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
|
2015 |
| 5. |
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1198–1201 ; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped $p$-4H-SiC (CVD)”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1163–1165 |
11
|
| 6. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, Д. Ю. Казанцев, В. В. Козловский, “О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015), 61–67 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, D. Yu. Kazantsev, V. V. Kozlovsky, “On the relationship between radiation-stimulated photoluminescence and nitrogen atoms in $p$-4H-SiC”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1143–1145 |
|
2014 |
| 7. |
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, В. Н. Ломасов, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1033–1036 ; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Conductivity compensation in $n$-4H-SiC (CVD) under irradiation with 0.9-MeV electrons”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1006–1009 |
12
|
|
