|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. А. Бауман, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, П. А. Богданов, А. Ю. Иванов, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. Ф. Цацульников, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, “Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 57–60   |
|
2019 |
| 2. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 |
6
|
|
2017 |
| 3. |
В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104 ; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 |
2
|
|
2014 |
| 4. |
М. М. Рожавская, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 17–23 ; M. M. Rozhavskaya, V. V. Lundin, E. Yu. Lundina, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Synthesis of GaN nano- and microwire crystals induced by a titanium nanolayer”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 372–374 |
5
|
|
