|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. Н. Аруев, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, М. Я. Патрова, П. А. Романов, Р. В. Тюкальцев, И. Л. Федичкин, С. В. Филиппов, “Исследование состава остаточного газа в вакуумной системе циклотрона ФТИ им. А.Ф. Иоффе”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 30–32   ; N. N. Aruev, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, M. Ya. Patrova, P. A. Romanov, R. V. Tyukal'tsev, I. L. Fedichkin, S. V. Filippov, “A study of the residual gas composition in the vacuum system of the cyclotron of the Ioffe Physical Technical Institute”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 827–830 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, Т. П. Самсонова, “Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 11–16 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, T. P. Samsonova, “The influence of heat treatment on the electrical characteristics of semi-insulating sic layers obtained by irradiating $n$-SiC with high-energy argon ions”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 229–231 |
5
|
|
2016 |
| 3. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 937–940 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Semi-insulating 4$H$-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into $n$-type epitaxial films”, Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923 |
6
|
| 4. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 5. |
М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, М. Я. Патрова, И. Л. Потокин, А. В. Анкудинов, “Трековые мембраны на основе пленки из полиэтилентерефталата толщиной 20 $\mu$m, полученные на пучке ионов аргона с пробегом меньше толщины пленки”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 87–95 ; M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, M. Ya. Patrova, I. L. Potokin, A. V. Ankudinov, “Track membranes based on a 20-$\mu$m-thick polyethylene terephthalate film obtained with a beam of argon ions having a range shorter than the film thickness”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 704–707 |
1
|
|
