|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. Ф. Кардо-Сысоев, М. Н. Черенёв, А. Г. Люблинский, И. А. Смирнова, Ш. А. Юсупова, Е. И. Белякова, М. И. Векслер, “Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 326–332   |
|
2018 |
| 2. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, Н. И. Подольская, Ю. А. Жарова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 66–73 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, N. I. Podolska, Yu. A. Zharova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Experimental observation of delayed impact-ionization avalanche breakdown in semiconductor structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 160–163 |
4
|
|
2015 |
| 3. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, И. А. Смирнова, “Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах”, ЖТФ, 85:11 (2015), 104–108 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, I. A. Smirnova, “Analysis of nanosecond breaking of a high-density current in SOS diodes”, Tech. Phys., 60:11 (2015), 1677–1681 |
6
|
| 4. |
В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015), 1–7 ; V. I. Brylevsky, A. V. Rozhkov, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Anomalous dynamics of the residual voltage across a gallium-arsenide diode upon subnanosecond avalanche switching”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 307–309 |
14
|
|
2014 |
| 5. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$–$n$-переходами”, Письма в ЖТФ, 40:8 (2014), 80–87 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Subnanosecond avalanche switching in high-voltage silicon diodes with abrupt and graded $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 356–360 |
13
|
|
