|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, С. Д. Комаров, И. С. Махов, К. А. Иванов, Э. И. Моисеев, Е. Е. Антонов, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, А. Е. Жуков, “Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом”, Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024), 107–113   |
|
2023 |
| 2. |
Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов, С. Д. Комаров, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, И. С. Махов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1483–1485 |
|
2018 |
| 3. |
С. В. Михайлович, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 61–67 ; S. V. Mikhailovich, A. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “Low-energy defectless dry etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT barrier layer”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 435–437 |
8
|
|
2016 |
| 4. |
К. Н. Томош, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Р. А. Хабибуллин, С. С. Арутюнян, П. П. Мальцев, “Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1434–1438 ; K. N. Tomosh, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, R. A. Khabibullin, S. S. Arutyunyan, P. P. Maltsev, “Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN НЕМТs with in situ Si$_{3}$N$_{4}$ passivation”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1416–1420 |
5
|
| 5. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 |
20
|
| 6. |
С. С. Арутюнян, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1138–1142 ; S. S. Arutyunyan, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “On a two-layer Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ dielectric mask for low-resistance ohmic contacts to AlGaN/GaN HEMTs”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1117–1121 |
6
|
|
