|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 40–49   ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. N. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, G. A. Konoplev, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, M. A. Evstigneev, “The effect of base thickness on photoconversion efficiency in textured silicon-based solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 873–876 |
24
|
|
2017 |
| 2. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. М. Власюк, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, М. А. Евстигнеев, “Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 88–96 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. M. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, M. A. Evstigneev, “Peculiarities of photoconversion efficiency modeling in perovskite solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 678–680 |
4
|
| 3. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, “Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si”, Письма в ЖТФ, 43:3 (2017), 29–38 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, “Specific features of current flow in $\alpha$-Si : H/Sii heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 152–155 |
25
|
|
2016 |
| 4. |
А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, P. М. Коркишко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, “Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 531–537 ; A. V. Sachenko, A. I. Skrebtii, R. M. Korkishko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the real efficiencies of high-efficiency silicon solar cells”, Semiconductors, 50:4 (2016), 523–529 |
2
|
| 5. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 259–263 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon”, Semiconductors, 50:2 (2016), 257–260 |
12
|
| 6. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, P. М. Коркишко, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, С. Н. Аболмасов, Д. А. Андроников, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, A. С. Титов, М. З. Шварц, “Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 70–76 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, S. N. Abolmasov, D. A. Andronikov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, A. S. Titov, M. Z. Shvarts, “The temperature dependence of the characteristics of crystalline-silicon-based heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 313–316 |
7
|
|
2015 |
| 7. |
Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, В. Н. Вербицкий, С. А. Кудряшов, К. В. Емцев, И. О. Соколовский, “Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 707–714 ; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, A. S. Abramov, V. N. Verbitskii, S. A. Kudryashov, K. V. Emtsev, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the natural characteristics of vertical $a$-Si : H/$\mu c$-Si:H tandem solar cells. 2. Analysis of the results and comparison with the experiment”, Semiconductors, 49:5 (2015), 693–699 |
| 8. |
Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, Е. В. Мальчукова, И. О. Соколовский, “Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 697–706 ; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, A. S. Abramov, E. V. Malchukova, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the natural characteristics of vertical $a$-Si : H/$\mu c$-Si:H tandem solar cells. 1. General relations”, Semiconductors, 49:5 (2015), 683–692 |
2
|
| 9. |
А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, P. М. Коркишко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, “Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 271–277 ; A. V. Sachenko, A. I. Skrebtii, R. M. Korkishko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, “Features of photoconversion in highly efficient silicon solar cells”, Semiconductors, 49:2 (2015), 264–269 |
21
|
| 10. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, Д. А. Богданов, И. Е. Панайотти, И. О. Соколовский, Д. Л. Орехов, “Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 41:10 (2015), 42–49 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, D. A. Bogdanov, I. E. Panaiotti, I. O. Sokolovskyi, D. L. Orekhov, “Analysis of the possibility of high-efficiency photovoltaic conversion in tandem heterojunction thin-layer solar cells”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 482–485 |
5
|
|
2014 |
| 11. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, А. И. Шкребтий, “Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 693–701 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, A. I. Skrebtii, “Modeling the efficiency of multijunction solar cells”, Semiconductors, 48:5 (2014), 675–682 |
8
|
|
2013 |
| 12. |
Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H”, ЖТФ, 83:11 (2013), 86–91 ; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, V. N. Verbitskii, Yu. A. Nikolaev, “Annual dependences of generated power and electrical energy for $a$-Si:H-based solar cells”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1632–1637 |
3
|
| 13. |
Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня”, ЖТФ, 83:11 (2013), 78–85 ; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, V. N. Verbitskii, Yu. A. Nikolaev, “Simulation of daytime variations in the characteristics of $a$-Si:H solar cells”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1625–1631 |
4
|
| 14. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, А. О. Виноградов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Костылев, Я. Я. Кудрик, В. П. Кладько, В. Н. Шеремет, “К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 426–431 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. O. Vinogradov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kostylyov, Ya. Ya. Kudryk, V. P. Klad'ko, V. N. Sheremet, “The mechanism of contact-resistance formation on lapped $n$-Si surfaces”, Semiconductors, 47:3 (2013), 449–454 |
7
|
|
