|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
З. А. Атамуратова, A. Юсупов, Б. О. Халикбердиев, А. Э. Атамуратов, “Аномальное поведение боковой $C$–$V$-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1067–1070   ; Z. A. Atamuratova, A. Yusupov, B. O. Halikberdiev, A. E. Atamuratov, “Anomalous behavior of lateral $C$–$V$ characteristic of an MNOS transistor with an embedded local charge in the nitride layer”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1006–1009 |
3
|
|
2018 |
| 2. |
А. Е. Абдикаримов, A. Юсупов, А. Э. Атамуратов, “Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии “кремний на изоляторе””, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 22–29 ; A. E. Abdikarimov, A. Yusupov, A. E. Atamuratov, “The effect of the fin shape and thickness of the buried oxide on the DIBL effect in an SOI FinFET”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 962–964 |
5
|
|
