|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, A. Jollivet, P. Quach, Л. Я. Карачинский, В. Н. Неведомский, И. И. Новиков, M. Tchernycheva, F. H. Julien, А. Ю. Егоров, “Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 357–362   |
|
2019 |
| 2. |
А. В. Бабичев, Д. В. Денисов, P. Lavenus, G. Jacopin, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид”, Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019), 180–185 ; A. V. Babichev, D. V. Denisov, P. Lavenus, G. Jacopin, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Electroluminescence of single InGaN/GaN micropyramids”, Optics and Spectroscopy, 126:2 (2019), 118–123 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
А. В. Бабичев, Д. В. Денисов, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Формирование и изучение оптических свойств светодиодов на основе микропирамид GaN с полупрозрачным контактом Ni/Au/графен”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 136–145 ; A. V. Babichev, D. V. Denisov, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Fabrication and study of optical properties of leds based on GaN micropyramids with a Ni/Au/graphene semi-transparent contact”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1111–1114 |
2
|
|
2016 |
| 4. |
А. В. Бабичев, H. Zhang, N. Guan, А. Ю. Егоров, F. H. Julien, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva, “Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1118–1122 ; A. V. Babichev, H. Zhang, N. Guan, A. Yu. Egorov, F. H. Julien, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva, “Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1097–1101 |
2
|
|
2015 |
| 5. |
А. Ю. Егоров, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Е. В. Никитина, M. Tchernycheva, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1574–1577 ; A. Yu. Egorov, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, E. V. Nikitina, M. Tchernycheva, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-$\mu$m under current pumping”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1527–1530 |
17
|
|
2014 |
| 6. |
А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 358–363 ; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, E. P. Gilstein, P. N. Brunkov, I. S. Mukhin, M. Tchernycheva, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Study of the electrical properties of individual (Ga,Mn)As nanowires”, Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349 |
2
|
|
2013 |
| 7. |
А. Д. Буравлёв, Д. В. Безнасюк, Е. П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И. В. Штром, М. А. Тимофеева, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Г. Э. Цырлин, “Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 797–801 ; A. D. Bouravlev, D. V. Beznasyuk, E. P. Gilstein, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, I. V. Shtrom, M. A. Timofeeva, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, G. È. Cirlin, “Photovoltaic properties of GaAs:Be nanowire arrays”, Semiconductors, 47:6 (2013), 808–811 |
3
|
| 8. |
В. Г. Дубровский, М. А. Тимофеева, M. Tchernycheva, А. Д. Большаков, “Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 53–59 ; V. G. Dubrovskii, M. A. Timofeeva, M. Tchernycheva, A. D. Bolshakov, “Lateral growth and shape of semiconductor nanowires”, Semiconductors, 47:1 (2014), 50–57 |
18
|
|
2012 |
| 9. |
Н. В. Сибирёв, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 857–860 ; N. V. Sibirev, M. Tchernycheva, G. È. Cirlin, G. Patriarche, J. C. Harmand, V. G. Dubrovskii, “Effect of diffusion from a lateral surface on the rate of gan nanowire growth”, Semiconductors, 46:6 (2012), 838–841 |
10
|
| 10. |
Г. Э. Цырлин, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand, “Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 184–187 ; G. È. Cirlin, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand, “Effect of postgrowth heat treatment on the structural and optical properties of InP/InAsP/InP nanowires”, Semiconductors, 46:2 (2012), 175–178 |
12
|
|
Обратная связь: