|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. А. Богданов, А. Г. Люблинский, Е. М. Михайлов, Ю. В. Тубольцев, “Установка для испытания чипов полевых транзисторов на устойчивость к лавинному пробою при работе на индуктивную нагрузку”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 274–280  |
|
2024 |
| 2. |
А. Ф. Кардо-Сысоев, М. Н. Черенёв, А. Г. Люблинский, И. А. Смирнова, Ш. А. Юсупова, Е. И. Белякова, М. И. Векслер, “Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 326–332  |
|
2023 |
| 3. |
М. Н. Черенёв, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. Г. Люблинский, “Исследование соотношения активных и реактивных потерь в дрейфовых диодах с резким восстановлением в зависимости от их режима работы”, Письма в ЖТФ, 49:24 (2023), 6–10 |
|
2019 |
| 4. |
А. Г. Люблинский, Е. И. Белякова, И. В. Грехов, “Численное и экспериментальное исследования оптимизированного $p$-SOS-диода”, ЖТФ, 89:3 (2019), 409–415 ; A. G. Lyublinsky, E. I. Belyakova, I. V. Grekhov, “Numerical and experimental study of an optimized $p$-SOS diode”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 373–379 |
1
|
|
2017 |
| 5. |
Н. И. Подольская, А. Г. Люблинский, И. В. Грехов, “Численное моделирование наносекундного переключения $p$-SOS-диода”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1790–1793 ; N. I. Podolska, A. G. Lyublinsky, I. V. Grekhov, “The numerical simulation of the nanosecond switching of a $p$-SOS diode”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1787–1790 |
2
|
| 6. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Е. М. Михайлов, Д. С. Полоскин, А. А. Скиданов, “Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1682–1686 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, E. M. Mikhailov, D. S. Poloskin, A. A. Skidanov, “Analysis of integrated thyristor switching-off by a reverse gate pulse current”, Tech. Phys., 62:11 (2017), 1684–1688 |
2
|
| 7. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Ш. А. Юсупова, “Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием”, ЖТФ, 87:5 (2017), 793–796 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, Sh. A. Yusupova, “High-power subnanosecond silicon avalanche shaper”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 812–815 |
7
|
| 8. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, А. А. Скиданов, “Исследование процесса выключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением”, ЖТФ, 87:1 (2017), 155–158 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, A. A. Skidanov, “Analysis of the process of turning off an integrated thyristor with external MOSFET control”, Tech. Phys., 62:1 (2017), 183–186 |
4
|
|
2016 |
| 9. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Е. И. Белякова, “Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе $p$-кремния ($p$-SOS)”, ЖТФ, 86:3 (2016), 106–109 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, E. I. Belyakova, “Powerful diode nanosecond current opening switch made of $p$-silicon ($p$-SOS)”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 424–427 |
4
|
|
2015 |
| 10. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, И. А. Смирнова, “Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах”, ЖТФ, 85:11 (2015), 104–108 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, I. A. Smirnova, “Analysis of nanosecond breaking of a high-density current in SOS diodes”, Tech. Phys., 60:11 (2015), 1677–1681 |
6
|
|
