|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии”, ЖТФ, 89:4 (2019), 574–577   ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, S. D. Konenkov, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Synthesis of hexagonal AlN и GaN layers on a Si(100) substrate by chloride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys., 64:4 (2019), 531–534 |
4
|
|
