|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. М. Настас, М. С. Иову, А. М. Присакар, Г. М. Тридух, В. Д. Прилепов, А. Л. Толстик, И. В. Сташкевич, “Влияние поля коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в пленках As$_{40}$S$_{60-x}$Se$_x$”, ЖТФ, 93:5 (2023), 696–701   |
|
2020 |
| 2. |
А. М. Настас, М. С. Иову, А. Л. Толстик, “Влияние коронного разряда на оптические свойства тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$Se$_{3}$”, Оптика и спектроскопия, 128:2 (2020), 236–240 ; A. M. Nastas, M. S. Iovu, A. L. Tolstik, “Influence of corona discharge on optical properties of Cu–As$_{2}$Se$_{3}$ thin film structures”, Optics and Spectroscopy, 128:2 (2020), 231–235 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
А. М. Настас, “Исследования стабильности тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$”, ЖТФ, 89:8 (2019), 1254–1258 ; A. M. Nastas, “Stability of thin-film Cu–As$_{2}$S$_{3}$ and Ag–As$_{2}$S$_{3}$ structures”, Tech. Phys., 64:8 (2019), 1184–1188 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
А. М. Настас, М. С. Йову, А. М. Присакар, Г. М. Тридух, “Влияние коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu–As$_{2}$Se$_{3}$”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1395–1398 ; A. M. Nastas, M. S. Iovu, A. M. Prisakar, G. M. Tridukh, “Effect of corona discharge on formation of holographic diffraction gratings in the Cu–As$_{2}$Se$_{3}$ thin-film structure”, Tech. Phys., 62:9 (2017), 1403–1406 |
3
|
|
2015 |
| 5. |
А. М. Настас, М. С. Иову, “Исследование влияния глубины рельефа на дифракционную эффективность отражающей и пропускающей рельефно-фазовых дифракционных решеток”, ЖТФ, 85:7 (2015), 133–134 ; A. M. Nastas, M. S. Iovu, “Analysis of the effect of relief depth on the diffraction efficiency of reflection and transmission phase-relief diffraction gratings”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1077–1078 |
3
|
| 6. |
А. М. Настас, М. С. Иову, Г. М. Тридух, А. М. Присакар, “Исследование влияния зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на образование наложенных голографических дифракционных решеток”, ЖТФ, 85:3 (2015), 148–150 ; A. M. Nastas, M. S. Iovu, G. M. Tridukh, A. M. Prisakar, “Influence of charging chalcogenide glassy semiconductors in a corona discharge on the formation of superimposed holographic diffraction gratings”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 466–468 |
4
|
| 7. |
А. М. Настас, М. С. Иову, “Исследование влияния показателя преломления окружающей среды на дифракционную эффективность отражающей и рельефно-фазовой дифракционных решеток”, ЖТФ, 85:3 (2015), 146–147 ; A. M. Nastas, M. S. Iovu, “Analysis of the effect of refractive index of medium on the diffraction efficiency of the reflecting and phase-relief diffraction gratings”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 464–465 |
2
|
|
2014 |
| 8. |
А. М. Настас, М. С. Иову, А. М. Присакар, “Исследование влияния коронного разряда на запись голографических дифракционных решеток в структуре Cu–As$_2$S$_3$”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 80–85 ; A. M. Nastas, M. S. Iovu, A. M. Prisakar, “A study of the effect of a corona discharge on recording of holographic diffraction gratings in the Cu–As$_2$S$_3$ structure”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 401–403 |
3
|
|
2009 |
| 9. |
А. М. Настас, A. M. Андриеш, В. В. Бивол, А. М. Присакар, Г. М. Тридух, “Влияние зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на процессы образования голографических дифракционных решеток”, ЖТФ, 79:2 (2009), 139–142 ; A. M. Nastas, A. M. Andriesh, V. V. Bivol, A. M. Prisakar, G. M. Tridukh, “Charging of glassy chalcogenide semiconductors in corona discharge and its effect on holographic grating formation”, Tech. Phys., 54:2 (2009), 305–308 |
10
|
| 10. |
А. М. Настас, A. M. Андриеш, В. В. Бивол, И. Н. Слепнев, А. М. Присакар, “Регистрация двухэкспозиционных интерферограмм на фототермопластическом носителе в фототермопластическом и фотоиндуцированном режимах записи”, Письма в ЖТФ, 35:8 (2009), 62–66 ; A. M. Nastas, A. M. Andriesh, V. V. Bivol, I. N. Slepnev, A. M. Prisakar, “Recording double-exposure interferograms on a photothermoplastic carrier in photoinduced and photothermoplastic regimes”, Tech. Phys. Lett., 35:4 (2009), 375–376 |
6
|
|
2006 |
| 11. |
А. М. Настас, A. M. Андриеш, В. В. Бивол, А. М. Присакар, Г. М. Тридух, “Исследование влияния электрического поля на фотоиндуцированные изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников”, Письма в ЖТФ, 32:1 (2006), 89–94 ; A. M. Nastas, A. M. Andriesh, V. V. Bivol, A. M. Prisakar, G. M. Tridukh, “Effect of electric field on photoinduced changes in the optical properties of chalcogenide glassy semiconductors”, Tech. Phys. Lett., 32:1 (2006), 45–47 |
10
|
|
Обратная связь: