05.27.01 (твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
E-mail:
Научная биография:
Фадеев, Алексей Владимирович. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 05.27.01; [Место защиты: Физ.-технол. ин-т РАН]. - Москва, 2014. - 172 с. : ил.
А. В. Фадеев, Ю. Н. Девятко, “Модель термического окисления кремния”, ЖТФ, 89:4 (2019), 620–626; A. V. Fadeev, Yu. N. Devyatko, “Model for thermal oxidation of silicon”, Tech. Phys., 64:4 (2019), 575–581
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1573–1580; A. V. Fadeev, K. V. Rudenko, “Atomic layer deposition of thin films onto 3$D$ nanostructures: the effect of wall tilt angle and aspect ratio of trenches”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1525–1532
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1264–1272; A. V. Fadeev, K. V. Rudenko, “Analytical model for atomic-layer deposition of thin films on the walls of cylindrical holes with a relatively high aspect ratio”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1228–1235
