Научная биография: |
Кононина (Кожемяко) Анастасия Владимировна.
МГУ им. М.В. Ломоносова, физфак, студентка (2011 - 2017).
Там же, Отделение радиофизики, Каф. физич. электроники, аспирантка (2017 - 2021)
Кононина, Анастасия Владимировна.
Модификация свойств пористого кремния при помощи ионных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.5.; [Место защиты: Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова ; Диссовет МГУ.013.7]. - Москва, 2022. - 115 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ю. В. Балакшин, А. В. Кожемяко, S. Petrovic, M. Erich, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1030–1036   ; Yu. V. Balakshin, A. V. Kozhemiako, S. Petrovic, M. Erich, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Influence of the charge state of xenon ions on the depth distribution profile upon implantation into silicon”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1011–1017 |
3
|
| 2. |
А. В. Кожемяко, А. П. Евсеев, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, “Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 810–815 ; A. V. Kozhemiako, A. P. Evseev, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, “Features of defect formation in the nanostructured silicon under ion irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 800–805 |
9
|
|
2018 |
| 3. |
Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, А. В. Назаров, А. В. Кожемяко, В. С. Черныш, “In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1900–1907 ; Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, A. V. Nazarov, A. V. Kozhemiako, V. S. Chernysh, “In situ modification and analysis of the composition and crystal structure of a silicon target by ion-beam methods”, Tech. Phys., 63:12 (2018), 1861–1867 |
21
|
|
2017 |
| 4. |
А. В. Кожемяко, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 778–782 ; A. V. Kozhemiako, Yu. V. Balakshin, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Study of the distribution profile of iron ions implanted into silicon”, Semiconductors, 51:6 (2017), 745–750 |
5
|
|
