|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер, “Динамика экранирования внешнего электрического поля в потенциальных стенках квантовой ямы InGaN/GaN”, Физика твердого тела, 66:3 (2024), 433–441   |
|
2023 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер, “Эффективность локализации электрически инжектированных носителей заряда в квантовой яме InGaN|GaN, ограниченная объемным зарядом”, Физика твердого тела, 65:1 (2023), 138–145 |
| 3. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер, “Туннелирование через барьеры Шоттки Ni/$n$–GaN по локализованным состояниям дефектов”, ЖТФ, 93:8 (2023), 1158–1165 |
|
2022 |
| 4. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер, “Локализация носителей заряда в квантовых ямах InGaN/GaN, ограниченная объемным зарядом”, Физика твердого тела, 64:3 (2022), 371–378 |
|
2019 |
| 5. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, “Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes in defect-assisted carrier tunneling from an InGaN/GaN quantum well”, Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105 |
8
|
|
2018 |
| 6. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер, “Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 796–803 ; N. I. Bochkareva, Yu. G. Shreter, “Effect of deep centers on charge-carrier confinement in InGaN/GaN quantum wells and on led efficiency”, Semiconductors, 52:7 (2018), 934–941 |
10
|
|
2017 |
| 7. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, П. Н. Воронцов-Вельяминов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1235–1242 ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, P. N. Vorontsov-Velyaminov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “Hopping conductivity and dielectric relaxation in Schottky barriers on GaN”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1186–1193 |
10
|
| 8. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123 ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
3
|
|
2016 |
| 9. |
Н. И. Бочкарева, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1387–1394 ; N. I. Bochkareva, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “Efficiency droop in GaN LEDs at high injection levels: Role of hydrogen”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1369–1376 |
8
|
| 10. |
М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716 ; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 |
5
|
| 11. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
|
2015 |
| 12. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер, “Рост скорости рекомбинации Шокли–Рида–Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1714–1719 ; N. I. Bochkareva, Yu. T. Rebane, Yu. G. Shreter, “Increase in the Shockley–Read–Hall recombination rate in InGaN/GaN QWs as the main mechanism of the efficiency droop in LEDs at high injection levels”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1665–1670 |
15
|
| 13. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. С. Коготков, Ю. Т. Ребане, М. В. Вирко, Ю. Г. Шретер, “Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 847–855 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. S. Kogotkov, Yu. T. Rebane, M. V. Virko, Yu. G. Shreter, “Hopping transport in the space-charge region of $p$–$n$ structures with InGaN/GaN QWs as a source of excess $1/f$ noise and efficiency droop in LEDs”, Semiconductors, 49:6 (2015), 827–835 |
7
|
|
2014 |
| 14. |
Н. И. Бочкарева, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер, “Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких плотностях тока: туннельные токи утечки и неполная латеральная локализация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1107–1116 ; N. I. Bochkareva, Yu. T. Rebane, Yu. G. Shreter, “Efficiency droop in GaN LEDs at high current densities: Tunneling leakage currents and incomplete lateral carrier localization in InGaN/GaN quantum wells”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1079–1087 |
18
|
|
2013 |
| 15. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер, “Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 129–136 ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, “Tunnel injection and power efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes”, Semiconductors, 47:1 (2013), 127–134 |
13
|
|
2012 |
| 16. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер, “Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1054–1062 ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, F. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, “Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1032–1039 |
10
|
|
1992 |
| 17. |
Н. И. Бочкарева, С. С. Рувимов, “О природе “аномальных” DLTS-спектров в монокристаллах германия с дислокациями”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 872–877 |
|
