|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, А. А. Фирсов, В. С. Куликаускас, Е. Е. Якимов, Е. П. Кириленко, А. В. Горячев, “Исследование пленок оксида кремния, имплантированных цинком”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 701–707   |
|
2019 |
| 2. |
В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. А. Скуратов, О. С. Зилова, А. А. Бурмистров, М. Ю. Пресняков, А. В. Горячев, “Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 332–339 ; V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. A. Skuratov, O. S. Zilova, A. A. Burmistrov, M. Yu. Presniakov, A. V. Goryachev, “Structure and properties of Zn-implanted Si near-surface layer modification depending on irradiation fluence of $^{132}$Xe$^{26+}$ ions with energy of 167 MeV”, Semiconductors, 53:3 (2019), 313–320 |
|
2018 |
| 3. |
В. В. Привезенцев, Е. П. Kириленко, А. В. Горячев, А. В. Лютцау, “Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами $^{64}$Zn$^{+}$ и $^{16}$O$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 827–835 ; V. V. Privezentsev, E. P. Kirilenko, A. V. Goryachev, A. V. Lutzau, “Formation of precipitates in Si implanted with $^{64}$Zn$^{+}$ and $^{16}$O$^{+}$ ions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 961–968 |
| 4. |
V. V. Privezentsev, A. V. Makunin, A. A. Batrakov, S. V. Ksenich, A. V. Goryachev, “Nanoparticle formation in Zn$^{+}$ and O$^{+}$ ion sequentially implanted SiO$_{2}$ film”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 521 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 645–650 |
8
|
|
