|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ю. А. Кабальнов, А. Н. Труфанов, С. В. Оболенский, “Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 388–395   ; Yu. A. Kabalnov, A. N. Trufanov, S. V. Obolensky, “Investigation into the radiation hardness of photodiodes based on silicon-on-sapphire structures”, Semiconductors, 53:3 (2019), 368–374 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, Е. И. Малышева, А. Н. Труфанов, “Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 370–375 ; N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, E. I. Malysheva, A. N. Trufanov, “Emission properties of InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells and dots after irradiation with neutrons”, Semiconductors, 49:3 (2015), 358–363 |
3
|
|
