|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Р. Р. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. L. Belenky, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Э. Г. Ализаде, Х. Н. Ахмедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, В. Н. Зверев, “Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926   ; R. R. Guseynov, V. A. Tanriverdiyev, G. L. Belenky, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, E. G. Alizade, Kh. N. Akhmedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, V. N. Zverev, “Electrical and optical properties of unrelaxed InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 906–910 |
3
|
|
2017 |
| 2. |
P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557 ; R. R. Guseinov, V. A. Tanriverdiyev, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, “In InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 524–530 |
5
|
|
2013 |
| 3. |
М. Я. Винниченко, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. О. Машко, Р. М. Балагула, G. L. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, “Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1526–1529 ; M. Ya. Vinnichenko, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. O. Mashko, R. M. Balagula, G. L. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, “Dependence of the carrier concentration on the current in mid-infrared injection lasers with quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1513–1516 |
4
|
|
