|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина, В. А. Боженкин, “Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 995–1005   ; L. K. Orlov, N. L. Ivina, V. A. Bozhenkin, “Features of the initial stage of the heteroepitaxy of silicon layers on germanium when grown from silicon hydrides”, Semiconductors, 53:7 (2019), 979–988 |
2
|
|
