|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. П. Бройко, Н. И. Алексеев, И. В. Клепиков, А. В. Колядин, И. В. Орешко, А. В. Соломникова, “Оптимизация постростовых режимов снижения температуры и давления при выращивании HPHT-кристаллов алмаза”, ЖТФ, 95:2 (2025), 221–231   |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 3–7 |
|
2024 |
| 3. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, ЖТФ, 94:6 (2024), 944–947 |
| 4. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, Л. А. Cокура, А. В. Соломникова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 474–477 |
| 5. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, “Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024), 3–6 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, A. V. Solomnikova, “Surface morphology of AlN layers grown on a nano-structured SiN$_x$/Si(100) template”, Semiconductors, 58:4 (2024), 302–305 |
|
2023 |
| 6. |
В. И. Зубков, А. В. Соломникова, А. В. Соломонов, А. В. Колядин, J. E. Butler, “Характеризация электрофизическими методами монокристаллического алмаза, легированного бором (обзор)”, ЖТФ, 93:1 (2023), 5–28 |
|
2022 |
| 7. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, “Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si”, ЖТФ, 92:5 (2022), 720–723 |
1
|
|
2019 |
| 8. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
|
