|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. В. Уваров, К. С. Зеленцов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1095–1102   ; A. V. Uvarov, K. S. Zelentsov, A. S. Gudovskikh, “Effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of GaP/Si heterostructures fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1075–1081 |
2
|
|
2016 |
| 2. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
|
2015 |
| 3. |
А. И. Баранов, А. С. Гудовских, К. С. Зеленцов, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 534–538 ; A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Admittance spectroscopy of solar cells based on GaPNAs layers”, Semiconductors, 49:4 (2015), 524–528 |
2
|
| 4. |
Д. В. Соснин, Д. А. Кудряшов, С. А. Гудовских, К. С. Зеленцов, “Анализ электрических и оптических свойств наноразмерных пленок легированных оксидов цинка и индия, сформированных методом ВЧ-магнетронного распыления при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 84–90 ; D. V. Sosnin, D. A. Kudriashov, S. A. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, “Electrical and optical properties of nanosized films of doped zinc and indium oxides deposited by RF magnetron sputtering at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 804–806 |
4
|
|
2013 |
| 5. |
А. С. Гудовских, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, К. С. Зеленцов, Е. М. Ершенко, Д. А. Кудряшов, С. А. Кудряшов, А. О. Монастыренко, А. Р. Терра, Е. И. Теруков, “Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1094–1101 ; A. S. Gudovskikh, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, K. S. Zelentsov, E. M. Ershenko, D. A. Kudryashov, S. A. Kudryashov, A. O. Monastyrenko, A. R. Terra, E. I. Terukov, “Study of the properties of solar cells based on $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$ structures by admittance spectroscopy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1090–1096 |
3
|
|
