|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, К. А. Свит, Д. В. Дмитриев, А. А. Макеева, Э. М. Рзаев, К. С. Журавлев, “Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024), 53–61   ; D. Yu. Protasov, P. P. Kamesh, K. A. Svit, D. V. Dmitriev, A. A. Makeeva, E. M. Rzaev, K. S. Zhuravlev, “The electrochemical profiling of $n^+/n$ GaAs structures for field-effect transistors”, Semiconductors, 58:3 (2024), 254–262 |
|
2019 |
| 2. |
К. А. Свит, К. С. Журавлев, “Процессы самосборки нанокристаллов CdS, синтезированных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1573–1578 ; K. A. Svit, K. S. Zhuravlev, “On the processes of the self-assembly of cds nanocrystal arrays formed by the Langmuir–Blodgett technique”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1540–1544 |
2
|
|
2014 |
| 3. |
К. А. Свит, Д. Ю. Протасов, Л. Л. Свешникова, А. К. Шестаков, С. А. Тийс, К. С. Журавлев, “Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1237–1242 ; K. A. Svit, D. Yu. Protasov, L. L. Sveshnikova, A. K. Shestakov, S. A. Teys, K. S. Zhuravlev, “Tunneling transport through passivated CdS nanocrystal arrays grown by the Langmuir–Blodgett method”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1205–1210 |
3
|
|
