|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
И. К. Камилов, М. И. Даунов, Г. М. Гаджиев, Р. К. Арсланов, “Об особенностях примесного энергетического спектра арсенидов”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1614–1619   ; I. K. Kamilov, M. I. Daunov, G. M. Gadjiev, R. K. Arslanov, “On the characteristic features of the impurity energy spectrum in arsenides”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1578–1583 |
|
2014 |
| 2. |
М. И. Даунов, У. З. Залибеков, И. К. Камилов, А. Ю. Моллаев, “О глубоком донорном уровне в $n$-GaAs по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1024–1026 ; M. I. Daunov, U. Z. Zalibekov, I. K. Kamilov, A. Yu. Mollaev, “Study of a deep donor level in $n$-GaAs by electron transport data obtained under hydrostatic pressure”, Semiconductors, 48:8 (2014), 996–998 |
| 3. |
М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, И. К. Камилов, А. М. Мусаев, “О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках $n$-InSb и $n$-CdSnAs$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 865–867 ; M. M. Gadzhialiev, M. I. Daunov, I. K. Kamilov, A. M. Musaev, “On statistically distributed inhomogeneities according to data on transverse magnetoresistance for the case of atmospheric and uniform pressure in narrow-gap $n$-InSb and $n$-CdSnAs$_2$ semiconductors”, Semiconductors, 48:7 (2014), 839–841 |
|
2013 |
| 4. |
И. К. Камилов, М. И. Даунов, А. Ю. Моллаев, С. Ф. Габибов, “Теплофизические и термоэлектрические свойства твердых тел в области полиморфного и сверхпроводящего переходов”, Физика твердого тела, 55:6 (2013), 1152–1156 ; I. K. Kamilov, M. I. Daunov, A. Yu. Mollaev, S. F. Gabibov, “Thermal-physical and thermoelectric properties of solids near the polymorphic and superconducting transitions”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1242–1247 |
1
|
|
