|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский, “Твердые растворы In$_{x}$Al$_{1-x}$N: проблемы стабильности состава”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1733–1739   ; V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. E. Velikovskiy, “In$_{x}$Al$_{1-x}$N solid solutions: Composition stability issues”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1724–1730 |
2
|
|
2014 |
| 2. |
К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский, В. А. Кагадей, “Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 402–406 ; K. Yu. Osipov, L. E. Velikovskiy, V. A. Kagadei, “Formation of Ta/Ti/Al/Mo/Au ohmic contacts to an AlGaN/AlN/GaN heterostructure grown on a silicon substrate”, Semiconductors, 48:3 (2014), 387–391 |
|
2012 |
| 3. |
К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский, “Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1239–1243 ; K. Yu. Osipov, L. E. Velikovskiy, “Formation technology of through metallized holes to sources of high-power GaN/SiC high electron mobility transistors”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1216–1220 |
7
|
|
