|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. М. Мусаев, “Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 35–37   ; A. M. Musaev, “Effect of hydrostatic pressure on the static permittivity of germanium”, Semiconductors, 52:1 (2018), 31–33 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
А. М. Мусаев, “Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1341–1345 ; A. M. Musaev, “Effects of local photoexcitation of high-concentration charge carriers in silicon”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1290–1294 |
3
|
|
2016 |
| 3. |
А. М. Мусаев, “Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$–$n$-структур кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1370–1373 ; A. M. Musaev, “Mechanism of microplasma turn-off upon the avalanche breakdown of silicon $p$–$n$ structures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1352–1355 |
| 4. |
А. М. Мусаев, “Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- и $n^{+}$–$p$–$p^{+}$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 470–473 ; A. M. Musaev, “Impact ionization in nonuniformly heated silicon $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- and $n^{+}$–$p$–$p^{+}$ structures”, Semiconductors, 50:4 (2016), 462–465 |
|
2015 |
| 5. |
А. М. Мусаев, “ОДП в структурах $n$-Si с несимметричными по площади контактами”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1160–1163 ; A. M. Musaev, “Negative differential conductivity in $n$-Si structures with contacts asymmetric in area”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1125–1128 |
1
|
|
2014 |
| 6. |
М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, И. К. Камилов, А. М. Мусаев, “О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках $n$-InSb и $n$-CdSnAs$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 865–867 ; M. M. Gadzhialiev, M. I. Daunov, I. K. Kamilov, A. M. Musaev, “On statistically distributed inhomogeneities according to data on transverse magnetoresistance for the case of atmospheric and uniform pressure in narrow-gap $n$-InSb and $n$-CdSnAs$_2$ semiconductors”, Semiconductors, 48:7 (2014), 839–841 |
| 7. |
А. М. Мусаев, “Термоэлектрический эффект в $n$-Ge, обусловленный термоупругодеформационным механизмом”, Письма в ЖТФ, 40:20 (2014), 69–75 ; A. M. Musaev, “Thermoelastic-strain-induced thermoelectric effect in $n$-Ge”, Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 917–919 |
|
2012 |
| 8. |
А. М. Мусаев, “Особенности изменения электрических параметров кремниевых $p$–$n$-структур, облученных электронами при высоких температурах”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 75–82 ; A. M. Musaev, “Features of changes in electrical parameters of silicon $p$–$n$ structures upon high-temperature electron irradiation”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 904–906 |
|
1992 |
| 9. |
М. М. Гаджиалиев, А. М. Мусаев, “Магнитотермоэдс Mn$_{0.06}$Hg$_{0.94}$ при одноосной деформации”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1952–1954 |
|
