Полозков, Роман Григорьевич.
Коллективные возбуждения в процессах фотоионизации фуллеренов и неупругого рассеяния электронов на металлических кластерах : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.07. - Санкт-Петербург, 2001. - 116 с. : ил.
Полозков, Роман Григорьевич.
Коллективные явления в кластерных и планарных низкоразмерных наноструктурах : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.07 / Полозков Роман Григорьевич; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Рос. гос. пед. ун-т им. А.И. Герцена»]. - СПб., 2020. - 214 с. : ил.
Основные публикации:
Квантовая теория многих тел: учеб. пос. для студ. ... по физич. и технич. напр. и спец. / В. К. Иванов, А. Н. Ипатов, Р. Г. Полозков ; Минобрнауки РФ, С.-Петерб. гос. политехн. ун-т. - СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2013. - 176, [1] с. : ил.; 20 см.; ISBN 978-5-7422-3968-0
И. И. Врубель, Е. Д. Черотченко, Д. А. Михайлов, Р. Г. Полозков, В. В. Дюделев, Г. С. Соколовский, “Аналитическое описание температурного коэффициента показателя преломления III–V полупроводников с использованием теории нормальной дисперсии”, Письма в ЖТФ, 51:12 (2025), 15–18
2024
2.
Н. А. Свинкин, В. М. Кондратьев, Р. Г. Полозков, А. Д. Большаков, “Взаимодействие молекул NH$_3$ и HCl с поверхностью нитевидных нанокристаллов кремния: DFT-моделирование и эксперимент”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 533–536
2018
3.
N. Y. Senkevich, I. I. Vrubel, R. G. Polozkov, I. A. Shelykh, “Geometry optimization and charge density distribution of single layer of Zn-based metal-organic framework”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 507; Semiconductors, 52:5 (2018), 597–599
